Glavne razlike između taloženog silicijevog dioksida i pečenog silicijevog dioksida leže u veličini i čistoći čestica.
Igludeni silicijev dioksid je općenito na razini mikrometra, dok je izvađeni silicijev dioksid uglavnom na razini nanometra. Igludeni silicijev dioksid ima visoki sadržaj nečistoće i čistoću općenito oko 93%, dok izvađeni silicijev dioksid ima vrlo nizak sadržaj nečistoće i čistoću koja može dostići preko 99%. Zbog značajnih razlika u veličini čestica i čistoći čestica, izvađeni silicijev dioksid nadmašuje taloženu silicijum dioksid u zadebljanju, tiksotropnim, anti - taloženjem, ojačavanjem, matiranjem i otpornosti na trenje.